致晟光電在 Thermal EMMI 技術的基礎上，融合了自主研發(fā)的 實時瞬態(tài)鎖相紅外熱分析技術（RTTLIT），提升了弱信號檢測能力。傳統(tǒng) Thermal EMMI 在處理極低功耗芯片或瞬態(tài)缺陷時，容易受到環(huán)境熱噪聲干擾，而鎖相技術可以在特定頻率下同步提取信號，將信噪比提升數(shù)倍，從而捕捉到更細微的發(fā)熱變化。這種技術組合不僅保留了 Thermal EMMI 的非接觸、無損檢測優(yōu)勢，還大幅拓寬了其應用場景——從傳統(tǒng)的短路、漏電缺陷分析，延伸到納瓦級功耗的功耗芯片、電源管理芯片以及新型傳感器的可靠性驗證。通過這一技術，致晟光電能夠為客戶提供更好、更快速的失效定位方案，減少剖片次數(shù)，降低分析成本，并提高產品開發(fā)迭代效率。在半導體行業(yè)高度集成化趨勢加速、制程工藝持續(xù)突破的當下，熱紅外顯微鏡是失效分析領域得力工具。工業(yè)檢測熱紅外顯微鏡原理

Thermal EMMI（Thermal Emission Microscopy）是一種利用半導體器件在工作過程中微弱熱輻射和光發(fā)射信號進行失效點定位的先進顯微技術。它通過高靈敏度探測器捕捉納瓦級別的紅外信號，并結合光學放大系統(tǒng)實現(xiàn)微米甚至亞微米級的空間分辨率。相比傳統(tǒng)的電子探針或電性測試，Thermal EMMI在非接觸、無損檢測方面有明顯優(yōu)勢，能夠在器件通電狀態(tài)下直接觀測局部發(fā)熱熱點或電流泄漏位置。這種技術在先進制程節(jié)點（如 5nm、3nm）中尤為關鍵，因為器件結構復雜且供電電壓低，任何細微缺陷都會在熱輻射分布上體現(xiàn)。通過Thermal EMMI，工程師能夠快速鎖定失效區(qū)域，大幅減少剖片和反復驗證的時間，為芯片研發(fā)和生產帶來高效的故障分析手段。檢測用熱紅外顯微鏡與光學顯微鏡對比半導體芯片失效分析（EFA）中的熱點定位。

熱紅外顯微鏡作為一種特殊的成像設備，能夠捕捉物體表面因溫度差異產生的紅外輻射，從而生成反映溫度分布的圖像。其原理基于任何物體只要溫度高于零度，就會不斷向外輻射紅外線，且溫度不同，輻射的紅外線波長和強度也存在差異。通過高靈敏度的紅外探測器和精密的光學系統(tǒng)，熱紅外顯微鏡可將這種細微的溫度變化轉化為清晰的圖像，實現(xiàn)對微觀結構的溫度分布監(jiān)測。在半導體行業(yè)中，它能檢測芯片工作時的局部過熱區(qū)域，為分析器件功耗和潛在故障提供關鍵數(shù)據(jù)，是電子器件熱特性研究的重要工具。

熱紅外顯微鏡在材料科學研究中有著廣泛應用。對于新型復合材料，其內部不同組分的導熱性能存在差異，在外界溫度變化或通電工作時，表面溫度分布會呈現(xiàn)不均勻性。熱紅外顯微鏡能以超高的空間分辨率捕捉這種溫度差異，清晰展示材料內部的熱傳導路徑和熱點分布。研究人員通過分析這些圖像，可深入了解材料的熱物理特性，為優(yōu)化材料配方、改進制備工藝提供依據(jù)。比如在研發(fā)高導熱散熱材料時，借助熱紅外顯微鏡能直觀觀察不同添加成分對材料散熱性能的影響，加速高性能材料的研發(fā)進程。熱紅外顯微鏡儀器內置校準系統(tǒng)，定期校準可確保長期使用中微觀溫度測量結果的準確性。

在半導體芯片的失效分析和可靠性研究中，溫度分布往往是**關鍵的參考參數(shù)之一。由于芯片結構高度集成，任何局部的異常發(fā)熱都可能導致電性能下降，甚至出現(xiàn)器件擊穿等嚴重問題。傳統(tǒng)的接觸式測溫方法無法滿足高分辨率與非破壞性檢測的需求，而熱紅外顯微鏡憑借其非接觸、實時成像的優(yōu)勢，為工程師提供了精細的解決方案。通過捕捉芯片表面微小的紅外輻射信號，熱紅外顯微鏡能夠清晰還原器件的熱分布情況，直觀顯示出局部過熱、散熱不均等問題。尤其在先進制程節(jié)點下，熱紅外顯微鏡幫助研發(fā)團隊快速識別潛在失效點，為工藝優(yōu)化提供可靠依據(jù)。這一技術不僅***提升了檢測效率，也在保障器件長期穩(wěn)定性和**性方面發(fā)揮著重要作用。紅外顯微鏡系統(tǒng)(Thermal Emission microscopy system)，是半導體失效分析和缺陷檢測的常用的三大手段之一。實時成像熱紅外顯微鏡圖像分析

熱紅外顯微鏡范圍：溫度測量范圍廣，可覆蓋 - 200℃至 1500℃，適配低溫超導材料到高溫金屬樣品的檢測。工業(yè)檢測熱紅外顯微鏡原理

thermal emmi（熱紅外顯微鏡）是結合了熱成像與光電發(fā)射檢測技術的先進設備，它不僅能捕捉半導體器件因缺陷產生的微弱光信號，還能同步記錄缺陷區(qū)域的溫度變化，實現(xiàn)光信號與熱信號的協(xié)同分析。當半導體器件存在漏電等缺陷時，除了會產生載流子復合發(fā)光，往往還會伴隨局部溫度升高，thermal emmi 通過整合兩種檢測方式，可更好地反映缺陷的特性。例如，在檢測功率半導體器件時，它能同時定位漏電產生的微光信號和因漏電導致的局部過熱點，幫助工程師判斷缺陷的類型和嚴重程度，為失效分析提供更豐富的信息。工業(yè)檢測熱紅外顯微鏡原理