在實際開展失效分析工作前，通常需要準備好檢測樣品，并完成一系列前期驗證，以便為后續(xù)分析提供明確方向。通過在早期階段進行充分的背景調查與電性能驗證，工程師能夠快速厘清失效發(fā)生的環(huán)境條件和可能原因，從而提升分析的效率與準確性。

首先，失效背景調查是不可或缺的一步。它需要對芯片的型號、應用場景及典型失效模式進行收集和整理，例如短路、漏電、功能異常等。同時，還需掌握失效比例和使用條件，包括溫度、濕度和電壓等因素。

高靈敏度的微光顯微鏡，能夠檢測到極其微弱的光子信號以定位微小失效點。國內微光顯微鏡探測器

芯片在工作過程中，漏電缺陷是一類常見但極具隱蔽性的失效現(xiàn)象。傳統(tǒng)檢測手段在面對復雜電路結構和高集成度芯片時，往往難以在短時間內實現(xiàn)精細定位。而微光顯微鏡憑借對極微弱光輻射的高靈敏捕捉能力，為工程師提供了一種高效的解決方案。當芯片局部出現(xiàn)漏電時，會產(chǎn)生非常微小的發(fā)光現(xiàn)象，常規(guī)設備無法辨識，但微光顯微鏡能夠在非接觸狀態(tài)下快速捕獲并呈現(xiàn)這些信號。通過成像結果，工程師可以直觀判斷缺陷位置和范圍，進而縮短排查周期。相比以往依賴電性能測試或剖片分析的方式，微光顯微鏡實現(xiàn)了更高效、更經(jīng)濟的缺陷診斷，不僅提升了芯片可靠性分析的準確度，也加快了產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的閉環(huán)流程。由此可見，微光顯微鏡在電子工程領域的應用，正在為行業(yè)帶來更快、更精細的檢測能力。半導體微光顯微鏡用戶體驗技術員依靠圖像快速判斷。

微光顯微鏡 EMMI（Emission Microscopy）是一種利用半導體器件在通電運行時產(chǎn)生的極微弱光輻射進行成像的失效分析技術。這些光輻射并非可見光，而是源于載流子在高電場或缺陷區(qū)復合時釋放的光子，波長通常位于近紅外區(qū)域。EMMI 系統(tǒng)通過高靈敏度的冷卻型探測器（如 InGaAs 或 Si CCD）捕捉這些信號，并結合高倍率光學系統(tǒng)實現(xiàn)亞微米級的缺陷定位。與熱成像類技術相比，EMMI 對于沒有***溫升但存在擊穿、漏電或柵氧化層損傷的缺陷檢測效果尤為突出，因為這些缺陷在光子發(fā)射特性上更容易被識別。這使得微光顯微鏡 EMMI 在先進工藝節(jié)點和低功耗器件的失效分析中扮演著不可替代的角色。

芯片制造工藝復雜，從設計到量產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)都可能出現(xiàn)缺陷。失效分析作為測試流程的重要部分，能攔截不合格產(chǎn)品并追溯問題根源。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測技術，可捕捉芯片內部因漏電、熱失控等產(chǎn)生的微弱發(fā)光信號，定位微米級甚至納米級的缺陷。這能幫助企業(yè)快速找到問題，無論是設計中的邏輯漏洞，還是制造時的材料雜質、工藝偏差，都能及時發(fā)現(xiàn)。據(jù)此，企業(yè)可針對性優(yōu)化生產(chǎn)工藝、改進設計方案，從而提升芯片良率。在芯片制造成本較高的當下，良率提升能降低生產(chǎn)成本，讓企業(yè)在價格競爭中更有優(yōu)勢。高昂的海外價格，讓國產(chǎn)替代更具競爭力。

半導體行業(yè)持續(xù)向更小尺寸、更高集成度方向邁進，這對檢測技術提出了更高要求。EMMI 順應這一趨勢，不斷創(chuàng)新發(fā)展。一方面，研發(fā)團隊致力于進一步提升探測器靈敏度，使其能夠探測到更微弱、更罕見的光信號，以應對未來半導體器件中可能出現(xiàn)的更細微缺陷；另一方面，通過優(yōu)化光學系統(tǒng)與信號處理算法，提高 EMMI 對復雜芯片結構的穿透能力與檢測精度，確保在先進制程工藝下，依然能夠精細定位深埋于芯片內部的故障點，為半導體技術持續(xù)突破保駕護航。微光顯微鏡降低了分析周期成本，加速問題閉環(huán)解決。什么是微光顯微鏡規(guī)格尺寸

相較動輒上千萬的進口設備，我們方案更親民。國內微光顯微鏡探測器

漏電是芯片中另一類常見失效模式，其成因相對復雜，既可能與晶體管在長期運行中的老化退化有關，也可能源于氧化層裂紋或材料缺陷。與短路類似，當芯片內部出現(xiàn)漏電現(xiàn)象時，漏電路徑中會產(chǎn)生微弱的光發(fā)射信號，但其強度通常遠低于短路所引發(fā)的光輻射，因此對檢測設備的靈敏度提出了較高要求。

微光顯微鏡（EMMI）依靠其高靈敏度的光探測能力，能夠捕捉到這些極微弱的光信號，并通過全域掃描技術對芯片進行系統(tǒng)檢測。在掃描過程中，漏電區(qū)域能夠以可視化圖像的形式呈現(xiàn)，清晰顯示其空間分布和熱學特征。

工程師可以根據(jù)這些圖像信息，直觀判斷漏電位置及可能涉及的功能模塊，為后續(xù)的失效分析和工藝優(yōu)化提供依據(jù)。通過這種方法，微光顯微鏡不僅能夠發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)電性測試難以捕捉的微小異常，還為半導體器件的可靠性評估和設計改進提供了重要支持，有助于提高芯片整體性能和使用壽命。 國內微光顯微鏡探測器