與傳統(tǒng)的 emmi 相比，thermal emmi 在檢測(cè)復(fù)雜半導(dǎo)體器件時(shí)展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。傳統(tǒng) emmi 主要聚焦于光信號(hào)檢測(cè)，而 thermal emmi 增加了溫度監(jiān)測(cè)維度，能更***地反映缺陷的物理本質(zhì)。例如，當(dāng)芯片出現(xiàn)微小短路缺陷時(shí)，傳統(tǒng) emmi 可檢測(cè)到短路點(diǎn)的微光信號(hào)，但難以判斷短路對(duì)器件溫度的影響程度；而 thermal emmi 不僅能定位微光信號(hào)，還能通過(guò)溫度分布圖像顯示短路區(qū)域的溫升幅度，幫助工程師評(píng)估缺陷對(duì)器件整體性能的影響，為制定修復(fù)方案提供更***的參考。熱紅外顯微鏡借助圖像分析技術(shù)，直觀展示電子設(shè)備熱分布狀況 。低溫?zé)釤峒t外顯微鏡設(shè)備制造

熱紅外顯微鏡的分辨率不斷提升，推動(dòng)著微觀熱成像技術(shù)的發(fā)展。早期的熱紅外顯微鏡受限于光學(xué)系統(tǒng)和探測(cè)器性能，空間分辨率通常在幾十微米級(jí)別，難以滿足微觀結(jié)構(gòu)的檢測(cè)需求。隨著技術(shù)的進(jìn)步，采用先進(jìn)的紅外焦平面陣列探測(cè)器和超精密光學(xué)設(shè)計(jì)的熱紅外顯微鏡，分辨率已突破微米級(jí)，甚至可達(dá)亞微米級(jí)別。這使得它能清晰觀察到納米尺度下的溫度分布，例如在研究納米線晶體管時(shí)，可精細(xì)檢測(cè)單個(gè)納米線的溫度變化，為納米電子器件的熱管理研究提供前所未有的細(xì)節(jié)數(shù)據(jù)。非制冷熱紅外顯微鏡設(shè)備熱紅外顯微鏡通過(guò)熱輻射相位差算法，三維定位 3D 封裝中 Z 軸方向的失效層。

作為國(guó)內(nèi)少數(shù)掌握 Thermal EMMI 技術(shù)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)之一，致晟光電在設(shè)備國(guó)產(chǎn)化和產(chǎn)業(yè)落地方面取得了雙重突破。設(shè)備在光路設(shè)計(jì)、探測(cè)器匹配、樣品平臺(tái)穩(wěn)定性等關(guān)鍵環(huán)節(jié)均采用自主方案，確保整機(jī)性能穩(wěn)定且易于維護(hù)。更重要的是，致晟光電深度參與國(guó)內(nèi)封測(cè)廠、晶圓廠及科研機(jī)構(gòu)的失效分析項(xiàng)目，將 Thermal EMMI 不僅用于研發(fā)驗(yàn)證，還延伸至生產(chǎn)線質(zhì)量監(jiān)控和來(lái)料檢測(cè)。這種從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)線的轉(zhuǎn)變，意味著 Thermal EMMI 不再只是少數(shù)工程師的“顯微鏡”，而是成為支撐國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)質(zhì)量提升的重要裝備。通過(guò)持續(xù)優(yōu)化算法、提升檢測(cè)效率，致晟光電正推動(dòng) Thermal EMMI 技術(shù)在國(guó)內(nèi)形成成熟的應(yīng)用生態(tài)，為本土芯片制造保駕護(hù)航。

功率器件在工作時(shí)往往需要承受高電壓和大電流，因此其熱管理問(wèn)題直接影響到產(chǎn)品的性能與壽命。常規(guī)熱測(cè)試手段通常無(wú)法兼顧分辨率和動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度，難以滿足現(xiàn)代功率器件的研發(fā)需求。熱紅外顯微鏡的出現(xiàn)，彌補(bǔ)了這一空白。它能夠在毫秒級(jí)時(shí)間分辨率下，實(shí)時(shí)捕捉器件運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生的熱信號(hào)，從而動(dòng)態(tài)監(jiān)控?zé)崃康姆植寂c傳導(dǎo)路徑。通過(guò)對(duì)這些熱數(shù)據(jù)的分析，工程師可以精細(xì)識(shí)別出熱點(diǎn)區(qū)域，并針對(duì)性地優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)方法相比，熱紅外顯微鏡不僅提供了更高精度的結(jié)果，還能在不***件正常運(yùn)行的前提下進(jìn)行測(cè)試，真正實(shí)現(xiàn)了非破壞性檢測(cè)。這種能力極大提升了功率器件可靠性驗(yàn)證的效率，幫助企業(yè)縮短研發(fā)周期，降低失效風(fēng)險(xiǎn)，為新能源、汽車電子等產(chǎn)業(yè)提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐。評(píng)估 PCB 走線布局、過(guò)孔設(shè)計(jì)對(duì)熱分布的影響，指導(dǎo)散熱片、導(dǎo)熱膠的選型與 placement。

芯片出問(wèn)題不用慌！致晟光電專門(mén)搞定各類失效難題～不管是靜電放**穿的芯片、過(guò)壓過(guò)流燒斷的導(dǎo)線，還是過(guò)熱導(dǎo)致的晶體管損傷、熱循環(huán)磨斷的焊點(diǎn)，哪怕是材料老化引發(fā)的漏電、物理磕碰造成的裂紋，我們都有辦法定位。致晟的檢測(cè)設(shè)備能捕捉到細(xì)微的失效信號(hào)，從電氣應(yīng)力到熱力學(xué)問(wèn)題，從機(jī)械損傷到材料缺陷，一步步幫你揪出“病根”，還會(huì)給出詳細(xì)的分析報(bào)告。不管是研發(fā)時(shí)的小故障，還是量產(chǎn)中的質(zhì)量問(wèn)題，交給致晟，讓你的芯片難題迎刃而解～有失效分析需求？隨時(shí)來(lái)找我們呀！????定位芯片內(nèi)部微短路、漏電、焊點(diǎn)虛接等導(dǎo)致的熱異常點(diǎn)。自銷熱紅外顯微鏡分析

監(jiān)測(cè)微流控芯片、生物傳感器的局部熱反應(yīng)，研究生物分子相互作用的熱效應(yīng)。低溫?zé)釤峒t外顯微鏡設(shè)備制造

對(duì)于3D封裝產(chǎn)品，傳統(tǒng)的失效點(diǎn)定位往往需要采用逐層去層的方法，一層一層地進(jìn)行異常排查與確認(rèn)，不僅耗時(shí)長(zhǎng)、人工成本高，還存在對(duì)樣品造成不可逆損傷的風(fēng)險(xiǎn)。借助Thermal EMMI設(shè)備，可通過(guò)檢測(cè)失效點(diǎn)熱輻射在傳導(dǎo)過(guò)程中的相位差，推算出失效點(diǎn)在3D封裝結(jié)構(gòu)中的深度位置（Z軸方向）。這一方法能夠在不破壞封裝的前提下，快速判斷失效點(diǎn)所在的芯片層級(jí)，實(shí)現(xiàn)高效、精細(xì)的失效定位。如圖7所示，不同深度空間下失效點(diǎn)與相位的關(guān)系為該技術(shù)提供了直觀的參考依據(jù)。低溫?zé)釤峒t外顯微鏡設(shè)備制造