I類陶瓷電容器按照美國電工協(xié)會(EIA)的標準，是C0G(數(shù)字0，不是字母O，部分文件筆誤COG)或NP0(數(shù)字0，不是字母O，部分文件筆誤NPO)，以及中國標準CC系列等各類陶瓷介質(zhì)(溫度系數(shù)為030ppm/)，極其穩(wěn)定，溫度系數(shù)極低，不會出現(xiàn)老化現(xiàn)象和損耗因子。這種介質(zhì)非常適用于高頻(特別是用于工業(yè)高頻感應加熱、高頻無線傳輸?shù)葢玫母哳l電力電容器)、超高頻以及對電容和穩(wěn)定性有嚴格要求的定時和振蕩電路的工作環(huán)境。這種介質(zhì)電容的缺點就是電容不能做得很大(因為介電系數(shù)比較小)。通常情況下，1206表貼C0G介質(zhì)電容的電容范圍為0.5pf至0.01f。電解電容由于有正負極性，因此在電路中使用時不能顛倒聯(lián)接。深圳片式電容

MLCC的主要材料和重要技術及LCC的優(yōu)點：1、材料技術(陶瓷粉料的制備)現(xiàn)在MLCC用陶瓷粉料主要分為三大類(Y5V、X7R和COG)。其中X7R材料是各國競爭較激烈的規(guī)格，也是市場需求、電子整機用量較大的品種之一，其制造原理是基于納米級的鈦酸鋇陶瓷料(BaTiO3)改性。日本廠家（如村田muRata）根據(jù)大容量(10μF以上)的需求，在D50為100納米的濕法BaTiO3基礎上添加稀土金屬氧化物改性，制造成高可靠性的X7R陶瓷粉料，較終制作出10μF-100μF小尺寸(如0402、0201等)MLCC。國內(nèi)廠家則在D50為300-500納米的BaTiO3基礎上添加稀土金屬氧化物改性制作X7R陶瓷粉料，跟國外先進粉體技術還有一段差距。鹽城電容貼片規(guī)格MLCC的結構主要包括三大部分：陶瓷介質(zhì)，內(nèi)電極，外電極。

電容與直流偏置電壓的關系：***類型電介質(zhì)電容器的電容與DC偏置電壓無關。第二類型電介質(zhì)電容器的電容隨DC偏壓而變化，陶瓷電容器允許負載的交流電壓與電流和頻率的關系主要受電容器ESR的影響；相對來說，C0G的ESR比較低，所以可以承受比較大的電流，對應的允許施加的交流電壓也比較大；X7R、X5R、Y5V、Z5U的ESR比較大，可以承受C0G以下。同時由于電容遠大于C0G，所以施加的電壓會比C0G小很多。1類介質(zhì)電容器允許電壓、電流和頻率的解釋當負載頻率較低時，即使負載的交流電壓為額定交流電壓，當流經(jīng)電容器的電流低于額定電流時，允許電容器負載額定交流電壓，即平坦部分；

電解電容器在電子電路中是必不可少的。而且隨著電子設備的小型化，越來越要求電解電容器具有更好的頻率特性、更低的ESR、更低的阻抗、更低的ESL、更高的耐壓和無鉛，這也是電解電容器未來的發(fā)展方向。采用鈮、鈦等新型介電材料，改進結構，可以實現(xiàn)電容器的小型化和大容量化。通過開發(fā)和優(yōu)化新型電解質(zhì)的工藝和結構，可以實現(xiàn)低ESR和低ESL，產(chǎn)品將向更高電壓方向發(fā)展。在日新月異的信息技術領域，電容永遠是關鍵元件之一。我們將應用新技術和新材料，不斷開發(fā)高性能電容器，以滿足信息時代的需求。鉭電解電容器具有儲藏電量、進行充放電等性能，主要應用于濾波、能量貯存與轉(zhuǎn)換以及作時間常數(shù)元件等。

鋁電解電容器的擊穿是由于陽極氧化鋁介質(zhì)膜破裂，導致電解液與陽極直接接觸。氧化鋁膜可能由于各種材料、工藝或環(huán)境條件而局部損壞。在外加電場的作用下，工作電解液提供的氧離子可以在受損部位重新形成氧化膜，從而對陽極氧化膜進行填充和修復。但如果受損部位有雜質(zhì)離子或其他缺陷，使填充修復工作不完善，陽極氧化膜上會留下微孔，甚至可能成為通孔，使鋁電解電容器擊穿。陽極氧化膜不夠致密牢固等工藝缺陷，后續(xù)鉚接工藝不好時，引出箔上的毛刺刺破氧化膜，這些刺破的部位漏電流很大，局部過熱導致電容產(chǎn)生熱擊穿。陶瓷介質(zhì)電容器的絕緣體材料主要使用陶瓷。廣東貼片電感廠家直銷

電容器外殼、輔助引出端子與正、負極 以及電路板間必須完全隔離。深圳片式電容

電解電容器普遍應用于各種電路中。由于電容器的絕緣層來自金屬電極的非常薄的氧化膜，這種電容器的容量可以做得非常大，從幾微法到幾法拉不等。在電路中，用于精度低但容量大的儲能濾波電路。由于其體積相對較大，往往采用鋁筒封裝，所以在電路板上通常會鶴立雞群。而兩者的本質(zhì)區(qū)別在于介電材料的不同。液體電解電容器的電介質(zhì)材料是電解質(zhì)，而固體電容器是導電聚合物。兩者的區(qū)別直接導致了固態(tài)電容比較大的優(yōu)勢，不容易發(fā)生危險。深圳片式電容