為了得到高精度、可控、快速反應(yīng)的電源，首先想到的解決方案便是利用電力電子變換器。電力電子技術(shù)經(jīng)過幾十年的發(fā)展，已經(jīng)成為電力參數(shù)變換和控制的基本手段，尤其伴隨著新型電力電子器件的出現(xiàn)和發(fā)展，以及高頻化、軟開關(guān)和集成化技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用，電力電子技術(shù)可以滿足各種類型的電源要求。直流變換器是電力電子變換器的重要的一部分， 電力電子中 DC/DC 變換的方案 也有很多。按照是否具有電氣隔離的方式分類， 直流變換器可以分為隔離型和非隔 離型兩類。隔離型的直流變換器也可以看作為是非隔離型變換器加入變壓器轉(zhuǎn)變而 來的。將電流限值在毫安級，此電流經(jīng)過多匝繞組之后。無錫霍爾電壓傳感器發(fā)展現(xiàn)狀

對于前端儲能電容還需要考慮的參數(shù)是其耐壓值，直流母線上電壓峰值為373v，留一定裕量，可以選擇耐壓值為500v的電解電容作為儲能電容。在電力電子變換和控制電路中，都是以各種電力半導(dǎo)體器件為基礎(chǔ)的。我們在設(shè)計電路時，也有很多可供選擇的電力半導(dǎo)體器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每種元件都有其自身特點(diǎn)以及**適合應(yīng)用場合。例如MOSFET開關(guān)頻率高，動態(tài)響應(yīng)速度快，但其電流容量相對小，耐壓能力低，適用于低功率、高頻的場合[13][14]。門級可關(guān)斷晶閘管具有自關(guān)斷能力、電流容量大、耐壓能力好，適用于大功率逆變場合。IGBT的性能相對來說是介于兩者之間，有較高的工作頻率（20K以上），有較大的電流容量和較好的耐壓能力。在本實驗中，裝置的功率在10kW以下，頻率在20K以下可以滿足要求，故而綜合考慮選用全控、壓控型器件IGBT作為開關(guān)管。常州循環(huán)測試電壓傳感器發(fā)展現(xiàn)狀我們知道一個電容器由兩個導(dǎo)體(或兩個板)組成。

削去原有電源系統(tǒng)紋波的補(bǔ)償方案有三種：注入、吸收、少則注入多則吸收。是單方向的向磁體注入電流，**紋波，將整體的電流修正到紋波很低的水平。從磁體中吸收電流，是削波的方式將紋波中和得到紋波更小的電流。前兩種方案的綜合，將高于設(shè)定值得電流吸收、低于設(shè)定值的電流則進(jìn)行補(bǔ)償，電流的供應(yīng)室雙向的，即積存在注入也存在吸收。由于磁體電源系統(tǒng)中三套電源是各自**向磁體供電的，所以補(bǔ)償電源系統(tǒng)的設(shè)計業(yè)可以**進(jìn)行。由上述補(bǔ)償方案可見，補(bǔ)償電源只需要補(bǔ)償原供電系統(tǒng)中紋波部分，所以補(bǔ)償電源容量較小，可以直接從電網(wǎng)中取電進(jìn)行AC/DC變換。補(bǔ)償電路原理圖如圖2-3所示B1為三相工頻整流橋，C0為儲能電容器，B2為IGBT逆變橋，TM為高頻變壓器，B3為高頻整流橋。Lf和Cf構(gòu)成輸出濾波器，Cp為補(bǔ)償電容，Lp為濾波電感，DCCT為高精度零磁通電流傳感器。

整個控制板由五個模塊構(gòu)成：電源模塊、采樣及A/D轉(zhuǎn)換模塊、DSP控制模塊、PWM輸出模塊、驅(qū)動電路模塊。數(shù)字控制電路中任何一個芯片的工作都離不開電源，其中DSP芯片和A/D芯片對電源的要求很高，電源發(fā)生過電壓、欠電壓、功率不夠或電壓波動等都可能導(dǎo)致芯片不能正常工作甚至損壞。對于任何一個PCB板，電源模塊設(shè)計的好壞都直接影響著整個控制板工作的穩(wěn)定。在設(shè)計電源模塊的時候，不僅要為整個控制板提供其所需要的所有幅值的電壓，還要保證每一個幅值的電壓值穩(wěn)定、紋波小，必要時須電氣隔離，并且電源模塊須功率足夠。目前只有電壓閉環(huán)反饋，接下來須引入電流閉環(huán)實現(xiàn) 對電路輸出電流的控制。

在產(chǎn)生移相脈波時，計時器的計時都有一個固定的時基，計時器以時基為參考點(diǎn)開始計數(shù)，當(dāng)比較寄存器中的值和設(shè)定值相等就會產(chǎn)生一個比較中斷。由此機(jī)理，移相角的改變有兩種方法：1）不斷改變時基；2）不斷更新比較值。DSP比較寄存器處于增減計數(shù)模式，一般時基是固定的。由于增減計數(shù)模式中每一個周期都會產(chǎn)生一個周期中斷和下溢中斷，于是我們可以利用這兩個中斷將設(shè)定值重置來實現(xiàn)另外一對PWM波的移相。超前橋臂上一對互補(bǔ)PWM波由比較單元1產(chǎn)生，對應(yīng)的比較寄存器為T1CMPR，即為比較寄存器1的設(shè)定值，計數(shù)寄存器為T1CNT。滯后橋臂上一對互補(bǔ)的PWM波由比較單元2產(chǎn)生，對應(yīng)的比較寄存器為T2CMPR，即為比較寄存器2的設(shè)定值，為了保證參考坐標(biāo)的一致性，比較單元2和比較單元1共用同一個計數(shù)寄存器。假設(shè)我們拿著傳感器，然后把它的前列放在帶電導(dǎo)體附近。杭州循環(huán)測試電壓傳感器發(fā)展現(xiàn)狀

方向相反，從而在磁芯中保持磁通為零。無錫霍爾電壓傳感器發(fā)展現(xiàn)狀

移相全橋變換器在工作時，通過與開關(guān)管并聯(lián)的諧振電容和原邊諧振電感諧振，來實現(xiàn)開關(guān)管的軟開關(guān)。主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖2-4所示。圖中T1和T2為超前臂開關(guān)管，T3和T4為滯后臂開關(guān)管；C1和C2分別為T1和T2的并聯(lián)諧振電容，且C1=C2=Clead；C3和C4分別為T3和T4的并聯(lián)諧振電容，且C3=C4=Clag；D1~D4分別為T1~T4的反并聯(lián)二極管；Lr為原邊諧振電感；TM為高頻變壓器；DR1~DR4為輸出整流二極管；Lf、L、Ca和Cb分別為輸出濾波電感和濾波電容；Z為輸出負(fù)載。無錫霍爾電壓傳感器發(fā)展現(xiàn)狀